놀라우 청정실은 왜 습도를 통제해야 합니까?

습도는 청정실의 가동에 있는 일반적인 환경 관리 상태입니다. 반도체 청정실에 있는 상대 습도의 목적값은 30에서 50%의 범위 안에 통제되, photolithographic 지역과 같은 ±1%의 좁은 범위 가운데 이기 위하여 있는 과실을 - 또는 멀리 자외선 가공 (DUV) 지역에서 더 작은 허용하. ±5% 안에 - 다른 장소, 당신은에서 -에 이완할 수 있습니다.

상대 습도에는 청정실의 전반적인 성과에 공헌할지도 모르다 다수 요인이 있기 때문에, 다음을 포함:

● 세균성 성장;

● 직원이 실내 온도에 느끼는 안락의 범위;

● 정전하는 나타납니다;

● 금속 부식;

● 수증기 응축;

석판인쇄술의 ● 강직;

● 수분 흡수.

박테리아와 다른 생물학 오염물질 (형, 바이러스, 균류, 진드기)는 60% 이상 상대 습도를 가진 환경에서 활발히 곱할 수 있습니다. 어떤 식물상은 상대 습도가 30%를 초과하는 때 성장할 수 있습니다. 상대 습도가 40%와 60% 사이에서 있을 때, 박테리아와 호흡 감염의 효력은 극소화될 수 있습니다.

40%에서 60%의 범위 안에 상대 습도는 또한 인간이 안락하게 느끼는 겸손한 범위입니다. 과량 습도는 사람들을 낙담한, 30% 이하 습도는 건조한, 살갗이 터 느끼는 사람들을 수 있는 그러나, 호흡 불편 및 감정적인 불편에 느끼는 수 있습니다.

고습도는 실제로 청정실의 표면에 정전하의 축적을 감소시킵니다 - 이것은 원하는 결과입니다. 낮은 습도는 정전기식 방전의 책임 축적 그리고 잠재적으로 파괴적인 근원을 위해 더 적당합니다. 상대 습도가 50%를 초과할 때, 정전하는 급속하게 낭비하는 것을 시작됩니다, 그러나 상대 습도가 30% 미만 일 때, 절연체 또는 근거 없는 표면에 오랫동안 지속해서 좋습니다.

35%와 40% 사이 상대 습도는 만족스런 타협일 수 있고, 반도체 청정실은 전형적으로 추가 정전하의 축적을 제한하기 위하여 통제를 이용합니다.

많은 화학 반응의 속도는, 부식 과정을 포함하여, 상대 습도가 증가하는 만큼 증가할 것입니다. 청정실을 포위하는 공기에 드러낸 모든 표면은 물의 적어도 1개의 단층으로 빨리 커버됩니다. 이 표면이 물로 반작용할 수 있는 얇은 금속 코팅으로 구성될 때, 고습도는 반응을 가속할 수 있습니다. 다행히, 약간 금속은 알루미늄과 같은 물을 가진 방어적인 산화물을 형성하고 더 산화 반응을 방지할 수 있습니다; 그러나 또 다른 케이스는 산화구리와 같은 방어적이지 않습니다, 그래서 고습도 환경에서, 구리 표면은 부식에 더 감염되기 쉽습니다.

더하여, 높은 상대 습도 환경에서, 감광저항은 습기의 흡수 때문에 굽기 주기 후에 확장되고 격화됩니다. 감광저항 접착은 또한 더 높은 상대 습도에 의해 부정적으로 영향을 받을 수 있습니다; 상대 습도 (대략 30%)를 쉽게 합니다 감광저항 접착을, 중합 수식어구를 위한 필요 없이 조차 낮추십시오.

반도체 청정실에 있는 통제 상대 습도는 임의 이지 않습니다. 그러나, 시간은 변화하기 때문에, 공유지의 이유 그리고 기초, 일반적으로 수용되는 연습을 검토하는 것이 최상 입니다.

습도는 우리의 인간적인 안락을 위해 특히 두드러질 것이 지도 모르지만, 수시로 특히 습도가 높은 생산 과정에 대한 중대한 충격이 있습니다, 습도는 수시로 청정실의 온도 그리고 습도 조절에서 왜 인 가장 나쁜 통제, 습도 선호됩니다이고.